Print

Information

拓宽下一代省电・小型器件设计的道路~通过计算机模拟,用原子电子比例尺高精度解明电子设计中电子的流动

2017/01/25

筑波大学计算科学研究中心的小野伦野副教授等人,开发了从原子电子比例尺中高速高精度预测电子器件中的电子流动的计算方法。同时,对有望成为下一代能源功率器件的碳化硅(SiC)器件内部界面的电子流动路径的第一性原理模拟,发现了导致碳化硅(SiC)器件性能低下的一个原因。

刊载论文

【标题名】 Intrinsic origin of electron scattering at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
     (由SiC 固有性质导致的4H-SiC(0001)/SiO2 界面的载流子散射)
【作者名】 Shigeru Iwase1, Christopher James Kirkham2, and Tomoya Ono3
      1 岩瀬滋 筑波大学大学院数理物质科学研究科博士后期课程
      2 Kirkham Christopher 筑波大学计算科学研究中心
                  (现属物质材料研究机构の所属は物質・材料研究机构纳米材料科学环境据点)
      3 小野伦也 筑波大学 计算机科学研究中心
【刊登杂志】 Physical Review B Rapid Communications
      doi.org/10.1103/PhysRevB.00.001300

Page Top