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实现抑制抵抗变化型内存的改写差异

2017/06/05

筑波大学数理物质系大毛利健治副教授(研究当时的职务。现在为有限公司デバイスラボ的代表董事)带领的团队,与松下半导体溶液有限公司合作研究,提出高速低耗能新一代内存中的不发挥性抵抗变化型内存在改写的时候容易产生的差异的模型,基于此提出了抑制这种差异的方法。

在本研究中,对丝状物质的自发性刷新现象的成因进行了考察,基于此,在差异变大之前人为进行刷新,可以有效抑制差异的产生。同时运用低周波噪声光谱方式,明确了ReRAM单元中活性化能量的排位。可以期待在未来运用该发现成果解释阐明差异产生的原因,同时可以期待将该研究成果运用于模拟动作的精密控制上。

发表论文

【国际学会名】VLSI Symposium on Technology
【日期、场所】 2017 年 6 月 5 日〜8 日、京都Rihga Royal宾馆
【标题】 Reduction of Cycle-to-Cycle Variability in ReRAM by Filamentary Refresh (运用ReRAM 的丝状物质刷新抑制改写产生的差异)
【作者】 K. Ohmori [1], A. Shinoda [1], K. Kawai [2], Z. Wei [2], T. Mikawa [2], and R. Hasunuma [1]
[1] 筑波大学、[2] 松下半导体溶液有限公司

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