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开发具有优异电气特性的半导体薄膜〜显著改善玻璃上锗薄膜的空穴迁移率〜

2017/12/05

筑波大学数理物质系 都甲薫副教授,末益崇教授的研究小组成功开发了具有最高空穴迁移率的锗(Ge)薄膜作为在玻璃上合成的半导体薄膜。

在这项研究中,我们使用简单的固相生长方法在玻璃上低温合成了多结晶Ge薄膜,并着重于作为其前体的Ge薄膜的密度。结果发现,由于使用高密度和非晶质Ge薄膜作为前体,固相生长后的多结晶Ge薄膜的晶粒显着增加,并且空穴迁移率显着提高。这次获得的空穴迁移率是在绝缘体上低温合成的所有半导体薄膜中最高的。

刊载论文

【题 目】 High-hole mobility polycrystalline Ge on an insulator formed by controlling precursor atomic density for solid-phase crystallization (通过固相生长控制前体原子密度的多结晶锗在绝缘体上的高空穴迁移率)
【作者名】 Kaoru Toko, Ryota Yoshimine, Kenta Moto, and Takashi Suemasu
【刊载杂志】 Scientific Reports

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