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위상을 제어한 테라헤르츠파를 통해 터널전자를 나노공간에서 자유롭게 제어하는 데 성공-나노 스케일 초고속 트랜지스터를 증명-

2016/11/08

 요코하마(横浜) 국립대학대학원 공학연구원 다케다 준(武田淳) 교수 그룹과 쓰쿠바대학 수리물질계 시게카와 히데미(重川秀実) 교수 그룹 연구팀은 위상을 제어한 단일 사이클 테라헤르츠파를 주사터널현미경(STM) 탐침・흑연 시료 간 1나노미터의 갭에 주사함으로써 250펨토초라는 최단시간에 수만~수십만 전자를 자유롭게 탐침하고 이동시키는 데 성공하였습니다. 이는 초고속으로 작동하는 1나노미터 극소 트랜지스터를 실현한 것과 같습니다. 이 성과로 인하여 차세대 양자 나노 디바이스, 플라즈모닉 디바이스의 진전에 크게 공헌 하였습니다.

DOI

doi.org/10.1038/nphoton.2016.205

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