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저항변화 메모리의 거동을 전류 노이즈로 해명 – 불 휘발성 메모리의 용도 확대의 가능성을 열다

2017/01/13

 산업 기술 종합연구소 나노 일렉트로닉스 연구부문 3D 집적시스템 연구그룹 효웨이 연구원, 이머징 디바이스 연구그룹 주임연구원은 쓰쿠바대학 수리물질계 물리공학영역 오오모리 겐지(大毛利健治) 준교수와 공동으로 폭넓은 전류폭으로 노이즈를 계측하는 방법을 개발하였습니다. 또한 불(不) 휘발성 메모리 연구개발이 진행되고 있는 저항변화 메모리(ReRAM)가 100나노 암페어(nA)라는 초 저소비전력으로 작동할 때의 메커니즘에 대해 밝혀내었습니다.

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