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차세대 절전력・소형 디바이스 설계의 길을 열다-계산기 시뮬레이션을 통해 전자디바이스 속 전력의 흐름을 원자・고 정밀도 전자 스케일로 해명

2017/01/25

 쓰쿠바대학 계산과학연구센터 오노 도모야(小野倫也) 준교수팀은 전자 디바이스 속 전자의 흐름을 원자・전자 스케일에서 고속・고 정밀도로 예측가능한 계산방법을 개발하였습니다. 또한 차세대 절전 에너지 파워 디바이스의 유력한 후보인 실리콘 카바이드(SiC) 디바이스 내부에 전자가 흐르는 계면 통로에 착목한 제 1원리 시뮬레이션을 세계 최초로 실시하였으며, 이것이 SiC 디바이스 성능을 저하시키는 요인 중 하나라는 것을 발견하였습니다.

게재논문

【제목】 Intrinsic origin of electron scattering at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
     (SiC 고유의 성질에 기인한 4H-SiC(0001)/SiO2 계면에서의 캐리어 산란)
【저자명】 Shigeru Iwase1, Christopher James Kirkham2, and Tomoya Ono3
  1 이와세 시게루(岩瀬滋) 쓰쿠바대학 대학원 수리물질과학연구과 박사 후기과정
  2 Kirkham Christopher 쓰쿠바대학 계산과학연구센터
   (현재 소속은 물질・재료연구기구 나노재료과학 환경거점)
  3 오노 도모야(小野倫也) 쓰쿠바대학 계산과학연구센터
【게재지】 Physical Review B Rapid Communications
      doi.org/10.1103/PhysRevB.00.001300

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