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차세대 절전력・소형 디바이스 설계의 길을 열다-계산기 시뮬레이션을 통해 전자 디바이스 속 전력의 흐름을 원자・고정밀도 전자 스케일로 해명

2017/01/25

 쓰쿠바대학 계산과학 연구센터 오노 도모야(小野倫也) 준교수팀은 전자 디바이스 속 전자의 흐름을 원자・전자 스케일에서 고속・고 정밀도로 예측 가능한 계산 방법을 개발하였습니다. 또한 차세대 절전 에너지 파워 디바이스의 유력한 후보인 실리콘 카바이드(SiC) 디바이스 내부에 전자가 흐르는 계면 통로에 착목한 제1원리 시뮬레이션을 세계 최초로 실시하였으며, 이것이 SiC 디바이스 성능을 저하시키는 요인 중 하나라는 것을 발견하였습니다.

게재논문

【제목】 Intrinsic origin of electron scattering at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
     (SiC 고유의 성질에 기인한 4H-SiC(0001)/SiO2 계면에서의 캐리어 산란)
【저자명】 Shigeru Iwase1, Christopher James Kirkham2, and Tomoya Ono3
  1 이와세 시게루(岩瀬滋) 쓰쿠바대학 대학원 수리물질과학연구과 박사 후기과정
  2 Kirkham Christopher 쓰쿠바대학 계산과학연구센터
   (현재 소속은 물질・재료연구기구 나노재료과학 환경거점)
  3 오노 도모야(小野倫也) 쓰쿠바대학 계산과학연구센터
【게재지】 Physical Review B Rapid Communications
      doi.org/10.1103/PhysRevB.00.001300

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