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저항 변화형 메모리의 개서 불균형 제어를 실현

2017/06/05

 쓰쿠바 대학 수리물질계 오모리 겐지(大毛利健治) 준교수(연구 담당. 현 주식회사 디바이스 라보 대표 이사) 연구 팀은 파나소닉 세미컨덕터 솔루션즈 주식회사와 공동으로 고속이면서 저비용 전력의 차세대 메모리 비휘발성 저항 변화형 메모리에서 개서 시에 불균형이 생기는 현장 모델을 제안하여, 그것에 기초하여 개서 불균형 제어를 실증했습니다.

 본 연구는 필라멘트의 자발적인 회복 현상 메커니즘 고찰에 기반을 두고 불균형이 커지는 이전의 인위적인 회복 현상을 도입하는 것으로 불균형적인 제어에 성공했습니다. 또한 저주파 잡음 분광이라고 하는 방법을 이용하여 ReRAM 입자 중에서 활성화 에너지 준위 분포를 시작으로 밝혀냈습니다. 이로 인해 이후 불균형 요인에 대해 한 층 더 높은 해명과 아날로그 동작의 정밀 제어 등의 진전이 기대되고 있습니다.

발표논문

【국제학회명】VLSI Symposium on Technology
【회기、장소】 2017 년 6 월 5 일〜8 일、교토 리가 로열 호텔
【제 목】 Reduction of Cycle-to-Cycle Variability in ReRAM by Filamentary Refresh (ReRAM 의 필라멘트
 회복 현상을 이용한 개서 불균형 제어)
【저자】 K. Ohmori [1], A. Shinoda [1], K. Kawai [2], Z. Wei [2], T. Mikawa [2], and R. Hasunuma [1]
 [1] 쓰쿠바 대학、[2] 파나소닉 세미컨덕터 솔루션즈 주식회사

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