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우수한 전기적 특성을 가진 반도체 박막을 개발 〜유리 위 게르마늄 박막 정공 이동도를 대폭 상향〜

2017/12/05

 쓰쿠바 대학 수리 물질계 토코우 카오루(都甲薫) 준교수, 스에마스 타카시(末益崇) 교수 연구 팀은 유리 위에 합성한 반도체 박막으로 최고의 정공 이동도를 가진 게르마늄(Ge) 박막 개발에 성공했습니다.

 본 연구에서는 간편한 고상성장법을 이용하여 유리 위에 다결정 Ge 박막을 저온 합성하는 것과 함께 그 전구체인 Ge 박막의 밀도에 착안했습니다. 그 결과 고밀도이면서 비결정성 Ge 박막을 전구체로 이용하여 고상성장 후에 다결정 Ge 박막 결정입자가 극적으로 커지면서 정공이동도가 비약적으로 상승하는 것을 발견했습니다. 이번에 얻은 정공이동도는 절연체 상에서 저온합성한 반도체 박막 중에서 최고의 가치를 지니고 있습니다.

게재논문

【제 목】 High-hole mobility polycrystalline Ge on an insulator formed by controlling precursor atomic
  density for solid-phase crystallization (전구체 원자 밀도를 제어한 고상성장의 절연체 상의 고정공이동도
  다결정 게르마늄)
【저자명】 Kaoru Toko, Ryota Yoshimine, Kenta Moto, and Takashi Suemasu
【게재지】 Scientific Reports

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