数理物質系の都甲薫助教は，「絶縁体上における高品質Ge薄膜の結晶成長とデバイス応用」に関する研究業績により，第13回船井研究奨励賞を受賞しました。この賞は，情報技術，情報科学に関する研究について顕著な業績のあった39歳以下の研究者に贈られるものです。