斎藤聖也さん(数理物質科学研究科（博士前期課程）電子・物理工学専攻1年、指導教員：数理物質系　都甲薫准教授)は、2019年12月21日に九州大学筑紫キャンパスで開催された“第11回半導体材料・デバイスフォーラム”で発表した「絶縁体上における高移動度n型Ge薄膜の直接合成」により、「学生発表優秀賞」に選出されました。セレモニーは2019年12月21日に九州大学筑紫キャンパスにて行われました。

この賞は、同会議に参加した大学院生の中で、半導体デバイスの発展に貢献しうる優秀な口頭発表を行った筆頭著者に贈られるものです。