数理物質系の都甲薫准教授は、「半導体と金属の固相反応と薄膜デバイス応用に関する研究」により、「本多記念研究奨励賞」を受賞しました。

この賞は、理工学特に金属及びその周辺材料に関連する研究を行い、優れた研究成果、または発明を行った者で、将来の発展を期待できる若い研究者に贈られる賞です。