テクノロジー・材料

ダイヤモンド中に室温で動作するNVセンターの3量子ビット化を実現

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構量子ビーム科学部門高崎量子応用研究所の春山盛善大学院課程研究員(群馬大学大学院理工学府博士後期課程学生)(研究当時)・小野田忍主幹研究員・大島武プロジェクトリーダーらは、国立大学法人群馬大学大学院理工学府の花泉修教授・加田渉助教ら、早稲田大学理工学術院の川原田洋教授、谷井孝至教授、国立大学法人筑波大学磯谷順一名誉教授、国立研究開発法人物質・材料研究機構機能性材料研究拠点の寺地徳之主席研究員らとの共同研究により、室温で動作する量子ビットとして注目されている窒素・空孔(NV)センターを集積し、世界で初めてNVセンターの電子スピンのみから成る3量子ビット化に成功しました。



図 イオン注入実験の模式図
アデニンをイオン源として有機化合物イオンを65keVに加速します。磁場型質量分析器によりC5N4Hnイオンのみをダイヤモンドに注入します。

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