テクノロジー・材料
トンネル効果を示す層状半導体の接合構造を実現〜将来の低消費電力トランジスタ応用に期待〜
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プレスリリース掲載論文
- 【題名】
- Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
- 【掲載誌】
- ACS Nano
- 【DOI】
- 10.1021/acsnano.2c11927
トンネル効果を示す層状半導体の接合構造を実現〜将来の低消費電力トランジスタ応用に期待〜