末益崇教授および都甲薫助教（数理物質系・物理工学域）指導下の中村航太郎氏(数理物質科学研究科電子・物理工学専攻修士課程2年)は，JST，東北大学との共同研究で得られた成果を，「BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価」として，2012（平成24）年９月14日に愛媛大学で開催された，2012年秋季応用物理学会学術講演会で発表し，講演奨励賞に選ばれました。 　発表された3593件の一般講演論文のうち，予め申請のあった661件の口頭，ポスター講演の発表者の中から36名がを受賞しました。 　中村君の研究は，太陽電池の新材料であるBaSi2中の不純物原子の格子拡散および粒界拡散について詳細に調べたというもので，今後，太陽電池への応用が期待されます。