数理物質科学研究科パワーエレクトロニクス研究室（岩室・矢野研）博士課程後期2年の安俊傑氏（指導教員：数理物質系　岩室憲幸教授）が，IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。
2016年12月に米国サンフランシスコにて開催されたIEEE IEDM2016で発表した論文”Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications,” の内容が評価されたものです。
730V耐圧縦型pチャネルSiC-MOSFETは，産総研のご協力の下，パワーエレクトロニクス研究室にて世界で初めて試作・評価されました。