数理物質系の都甲薫助教は，「絶縁体上におけるゲルマニウム結晶薄膜の高品質形成とデバイス応用に関する研究」の業績により，第27回安藤博記念学術奨励賞を受賞しました。この賞は，エレクトロニクス分野で独創的・萌芽的な研究活動を行っている若手研究者(35歳以下)に贈られるものです。