先進半導体リサーチユニット（研究代表者:上殿 明良 教授（数理物質系））による論文がInternational Workshop on Junction Technology (IWJT) 2025のベストペーパーに採択されました。IWJTは半導体デバイスの接合技術におけるメジャーな国際ワークショップであり、この会議で、当該リサーチユニットの研究成果がベストペーパーに採択されたことにより、本学における半導体研究のポテンシャルを国内外に示すことができました。

採択された論文：
A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, K. Sierakowski, and M. Bockowski, “Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam”